真空鍍膜設備主要指需要在較高真空度下進行的鍍膜，具體包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，PLD激光濺射沉積等很多種。主要思路是分成蒸發和濺射兩種。
真空鍍膜的工作原理是膜體在高溫下蒸發落在工件表面結晶。由于空氣對蒸發的膜體分子會產生阻力造成碰撞使結晶體變得粗糙無光，所以必須在高真空下才能使結晶體細密光亮，如果真空度不高結晶體就會失去光澤結合力也很差。早期真空鍍膜是依靠蒸發體自然散射，結合差工效低光澤差。現在加上中頻磁控濺射靶用磁控射靶將膜體的蒸發分子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜，解決了過去自然蒸發無法加工的膜體品種，如鍍鈦鍍鋯等等。
中頻設備必須加冷卻水進行冷卻，原因是它的頻率高電流大。電流在導體流動時有一個集膚效應，電荷會聚集在電導有表面積，這樣會使電導發熱，所以采用中孔管做導體中間加水冷卻。
從更深層次研究電子在非均勻電磁場中的運動規律 ,探討了磁控濺射的更一般原理以及磁場的橫向不均勻性及對稱性是磁約束的本質原因。磁控濺射可以被認為是鍍膜技術中最突出的成就之一。特點是濺射率高、基片溫升低、膜-基結合力好、裝置性能穩定。
真空鍍膜的工作原理是膜體在高溫下蒸發落在工件表面結晶。由于空氣對蒸發的膜體分子會產生阻力造成碰撞使結晶體變得粗糙無光，所以必須在高真空下才能使結晶體細密光亮，如果真空度不高結晶體就會失去光澤結合力也很差。早期真空鍍膜是依靠蒸發體自然散射，結合差工效低光澤差。現在加上中頻磁控濺射靶用磁控射靶將膜體的蒸發分子在電場的作用下加速轟擊靶材，濺射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉積在基片上成膜，解決了過去自然蒸發無法加工的膜體品種，如鍍鈦鍍鋯等等。
中頻設備必須加冷卻水進行冷卻，原因是它的頻率高電流大。電流在導體流動時有一個集膚效應，電荷會聚集在電導有表面積，這樣會使電導發熱，所以采用中孔管做導體中間加水冷卻。
從更深層次研究電子在非均勻電磁場中的運動規律 ,探討了磁控濺射的更一般原理以及磁場的橫向不均勻性及對稱性是磁約束的本質原因。磁控濺射可以被認為是鍍膜技術中最突出的成就之一。特點是濺射率高、基片溫升低、膜-基結合力好、裝置性能穩定。